8月21日消息,SK海力士宣布成功開發面向AI行業的超高性能DRAM新產品HBM3E,這是目前可用于AI應用的下一代最高規格DRAM。據悉,SK海力士計劃在明年上半年開始量產HBM3E,現已提供給NVIDIA和其他客戶進行性能評估。
SK海力士透露,該產品可每秒處理1.15TB的數據,相當于能在1秒內處理230部5GB大小的全高清級電影。
(資料圖片)
此外,通過在最新產品上采用先進質量回流模塑底部填充(MR-MUF)的尖端技術,該產品的散熱性能提高了10%。它還提供向后兼容性,甚至可以在為 HBM3 準備的系統上采用最新產品,而無需修改設計或結構。
(注:MR-MUF:將半導體芯片堆疊后,為了保護芯片和芯片之間的電路,在其空間中注入液體形態的保護材料,并進行固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較,工藝效率更高,散熱方面也更加有效。
向后兼容性(Backward compatibility):指在配置為與舊版產品可兼容的IT/計算系統內,無需另行修改或變更即可直接使用新產品。例如,對CPU或GPU企業,如果半導體存儲器新產品具有向后兼容性,則無需進行基于新產品的設計變更等,具有可直接使用現有CPU/GPU的優點。)
早在今年六月,SK海力士已經收到了NVIDIA的請求,要求對其下一代HBM3e DRAM進行采樣,當NVIDIA成為現實時,它成為現實。宣布其 GH200 GPU 具有增強的 HBM3e DRAM,每個芯片提供高達 5 TB/s 的帶寬。
該公司表示,憑借其作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E,并鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
據該公司稱,最新產品不僅符合業界最高的速度標準,AI內存產品的關鍵規格,而且所有類別都包括容量,散熱和用戶友好性。
此外,通過在最新產品上采用先進質量回流模塑底部填充(MR-MUF)的尖端技術,該產品的散熱性能提高了10%。它還提供向后兼容性,甚至可以在為 HBM3 準備的系統上采用最新產品,而無需修改設計或結構。
AI模型正在重塑千行百業,包括與之密切相關的計算能力產業鏈。如今,AI模型的快速發展對存儲行業提出了新的要求。隨著大型模型的出現,海量的數據需要更強的存儲性能來支持高效的數據訪問和處理,以釋放計算能力。因此,存儲行業正在升級和改變,涌現出一些新的概念和技術,如高帶寬存儲(HBM)等。
高帶寬存儲(HBM)是一種新型的內存技術,通過將DRAM堆疊在芯片上,提供了更大的帶寬和更低的能耗。HBM可以滿足大型模型對高速數據傳輸的需求,提供了更好的數據處理能力。
高性能的存儲產品如HBM3E對于大型AI模型的數據處理需求至關重要,它能夠滿足海量數據的高速讀寫和處理要求,從而充分釋放計算能力。
通過持續的技術創新和新產品的開發,存儲行業積極應對AI模型對數據存儲和處理的要求。這將進一步推動AI技術的發展,為各行各業的數字化轉型和創新提供更強大的支持。
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