（原標題：大基金二期再出手 士蘭微廈門基地又獲12億元增資）

時隔18個月后，士蘭微(600460)廈門基地再獲國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司（下稱“大基金二期”）增資。

(資料圖)

4個月前，士蘭微還官宣聯(lián)手大基金二期21億元增資公司成都基地。大基金二期在短短18個月內(nèi)，先后三次增資，對士蘭微廈門和成都兩個生產(chǎn)基地的合計增資額將達到19.5億元。

聯(lián)手大基金二期增資

8月28日晚，士蘭微公告稱，公司擬與大基金二期、廈門海創(chuàng)發(fā)展基金合伙企業(yè)（有限合伙）（籌）（下稱“海創(chuàng)發(fā)展基金”），以貨幣方式共同出資12億元認繳關(guān)聯(lián)參股公司廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（下稱“士蘭明鎵”）本次新增注冊資本11.9億元。

士蘭明鎵成立于2018年2月，此次增資前，廈門半導體投資集團有限公司持有65.28%，士蘭微持有34.72%。

根據(jù)此次增資約定，士蘭微出資7.50億元，大基金二期以自有資金出資3.50億元，海創(chuàng)發(fā)展基金以自有資金出資1億元，士蘭明鎵另一方股東廈門半導體投資集團有限公司放棄同比例增資的權(quán)利。增資完成后，士蘭微將取得士蘭明鎵的控制權(quán)，持股比例將從原來的34.72%增至48.16%，大基金二期將持有士蘭明鎵14.11%股權(quán)。

大基金二期二度增資廈門基地

士蘭微廈門生產(chǎn)基地的打造，可以追溯到5年多前，即2017年12月，士蘭微與廈門市海滄區(qū)人民政府簽署的《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。

根據(jù)當時協(xié)議約定，士蘭微與廈門半導體共同投資設(shè)立了兩家實施主體：廈門士蘭集科微電子有限公司（下稱“士蘭集科”）和廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司。其中廈門士蘭集科產(chǎn)品定位為功率半導體器件、模擬集成電路及相關(guān)產(chǎn)品。廈門士蘭明鎵定位于包括第三代化合物功率半導體、先進化合物器件、高端LED芯片等產(chǎn)品。

在此次增資士蘭明鎵前，大基金二期還于去年增資了士蘭集科。

士蘭微2022年2月公告顯示，公司與大基金二期以貨幣方式共同出資8.85億元，其中，士蘭微出資2.85億元，大基金二期出資6億元，同時，士蘭集科另一方股東廈門半導體放棄優(yōu)先認購權(quán)。

上述增資完成后，士蘭集科的持股比例由廈門半導體和士蘭微分別持股85%和15%變更為廈門半導體、士蘭微和大基金二期分別持股66.63%、18.72%和14.65%。

完善車規(guī)級高端功率半導體布局

士蘭明鎵于2022年7月啟動了“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”。該項目計劃投資15億元，建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，最終將形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。

實際上，此次士蘭微對士蘭明鎵的7.5億元增資事項，是公司去年定增的募投項目之一，此舉意味著士蘭微將加快推進SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)。

2022年10月，士蘭微發(fā)布定增預案，公司擬向特定對象發(fā)行不超過2.83億股A股股票，募集資金總額不超過65億元，其中7.5億元用于實施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”，并明確“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”通過公司參股公司士蘭明鎵具體實施，募集資金將通過公司向士蘭明鎵增資的方式投入。“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”其他資金將通過公司自籌的方式解決。

據(jù)悉，我國SiC等電力電子器件產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展較晚，加之技術(shù)門檻高、投入大，我國現(xiàn)階段SiC功率半導體器件的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)幾乎被歐美、日本IDM 半導體廠商所壟斷，國內(nèi)前十大SiC功率半導體器件供應(yīng)商均為外企。

包括SiC器件在內(nèi)的功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，加之國產(chǎn)新能源車產(chǎn)業(yè)蓬勃興起，使得車用功率器件的進口替代空間巨大。基于SiC功率器件產(chǎn)品市場的增長、新能源汽車行業(yè)需求的增加，加快SiC功率器件產(chǎn)品的國產(chǎn)替代化已經(jīng)成為行業(yè)共識。

士蘭微稱，若此次增資事項能夠順利實施，將為士蘭明鎵“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”的建設(shè)和運營提供資金保障，有利于加快實現(xiàn)公司SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，完善公司在車規(guī)級高端功率半導體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強核心競爭力，有利于抓住當前新能源汽車領(lǐng)域的發(fā)展契機，推動公司主營業(yè)務(wù)持續(xù)成長。

自研車規(guī)產(chǎn)品已向比亞迪、吉利等批量供貨

對上述項目的接連增資，不僅體現(xiàn)了國家大基金二期對士蘭微IDM模式的支持，也體現(xiàn)了士蘭微發(fā)揮IDM模式優(yōu)勢，加快汽車半導體芯片產(chǎn)能建設(shè)的決心。

士蘭微廈門基地之外，其在成都的基地也獲得了大基金二期的增資。

今年3月，士蘭微董事會審議通過了《關(guān)于與大基金二期共同向成都士蘭半導體制造有限公司增資暨關(guān)聯(lián)交易的議案》，公司與大基金二期共同出資21 億元，其中士蘭微出資11億元，大基金出資10億元。

據(jù)悉，士蘭微擬通過控股子公司成都士蘭半導體制造有限公司（以下 簡稱“成都士蘭”）投資建設(shè)“汽車半導體封裝項目（一期）”（原項目名稱 為“年產(chǎn)720 萬塊汽車級功率模塊封裝項目”），項目總投資為30億元。增資事項若順利實施，將為控股子公司成都士蘭“汽車半導體封裝項目 （一期）”的建設(shè)和運營提供資金保障，有利于加快實現(xiàn)士蘭微汽車級功率模塊的產(chǎn)業(yè)化。

根據(jù)去年10月士蘭微定增預案，上述汽車半導體封裝項目（一期），擬通過控股子公司成都士蘭具體實施，其中使用募集資金投資 11億元。

數(shù)據(jù)顯示，2023年上半年，士蘭微IGBT（包括IGBT器件和PIM模塊）的營業(yè)收入已達到5.9億元，較去年同期增長300%以上。

士蘭微2023年半年報顯示，基于公司自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動汽車主電機驅(qū)動模塊，已在比亞迪、吉利、零跑、匯川等國內(nèi)外多家客戶實現(xiàn)批量供貨；公司用于汽車的IGBT器件（單管）、MOSFET器件（單管）已實現(xiàn)大批量出貨，公司用于光伏的IGBT器件（單管）、逆變控制模塊、SiC MOS器件也實現(xiàn)批量出貨。公司正在加快汽車級IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽車級功率模塊（PIM）產(chǎn)能的建設(shè)，預計今后公司IGBT器件、PIM模塊、SiC-MOS器件等產(chǎn)品的營業(yè)收入將快速成長。

另外，半年報還顯示，士蘭微已完成第二代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進水平。基于公司自主研發(fā)的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊，已通過部分客戶測試，爭取在今年三季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。

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