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【資料圖】
8月22日,東芝電子元件與天岳先進就天岳先進開發制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協議,雙方將開展以下合作:針對SiC功率半導體特性提升與品質改善的技術協作,以及運用合作成果擴大高品質穩定襯底供應的商業合作。
關鍵詞: 天岳先進 功率半導體 電子元件 SiC 東
天岳先進與東芝電子元
天岳先進與東芝電子元件達成合作協議
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